„Majoritätsladungsträger“ – Versionsunterschied
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'''Majoritätsladungsträger''' ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten [[Halbleiter]]s, welche häufiger vorkommt als die [[Minoritätsladungsträger]]. Bei p-[[Dotierung]] sind die Majoritätsladungsträger die [[Defektelektron]]en (auch Löcher genannt), bei n-Dotierung sind es die [[Elektron]]en. Da bei Raumtemperatur praktisch alle [[Donator]]en beziehungsweise |
'''Majoritätsladungsträger''' ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten [[Halbleiter]]s, welche häufiger vorkommt als die [[Minoritätsladungsträger]]. Bei p-[[Dotierung]] sind die Majoritätsladungsträger die [[Defektelektron]]en (auch Löcher genannt), bei n-Dotierung sind es die [[Elektron]]en. Da bei Raumtemperatur praktisch alle [[Donator]]en beziehungsweise [[Akzeptor]]en ionisiert sind, führt dies zu einer Majoritätsladungsträger-Konzentration im |
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Version vom 1. März 2006, 15:02 Uhr
Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, welche häufiger vorkommt als die Minoritätsladungsträger. Bei p-Dotierung sind die Majoritätsladungsträger die Defektelektronen (auch Löcher genannt), bei n-Dotierung sind es die Elektronen. Da bei Raumtemperatur praktisch alle Donatoren beziehungsweise Akzeptoren ionisiert sind, führt dies zu einer Majoritätsladungsträger-Konzentration im
- p-Gebiet
- n-Gebiet