„Shockley-Gleichung“ – Versionsunterschied
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Die Gleichung gilt streng genommen nur für positive Spannungen <math>U_D</math>. Die [[e-Funktion]] wächst für positive <math>U_D</math>, die groß gegen über <math>U_T</math> sind stark an. Damit erhält man für die Shockley-Gleichung in guter Näherung: |
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<math>I_D \approx I_S \, \left( e^\frac{U_D}{n \, U_T} \right)</math> |
<math>I_D \approx I_S \, \left( e^\frac{U_D}{n \, U_T} \right)</math> |
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Version vom 15. März 2007, 02:12 Uhr
Die Shockley-Gleichung, benannt nach William B. Shockley, beschreibt die Strom-Spannungs-Kennlinie einer Halbleiterdiode.
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- Anoden-Kathoden-Spannung:
- Strom durch die Diode:
- Sättigungssperrstrom:
- Emissionskoeffizient:
- Temperaturspannung: bei Raumtemperatur
Die Gleichung gilt streng genommen nur für positive Spannungen . Die e-Funktion wächst für positive , die groß gegen über sind stark an. Damit erhält man für die Shockley-Gleichung in guter Näherung:
Die Shockley-Gleichung beschreibt das Großssignalverhalten, also die physikalisch messbaren Größen einer Diode. Im Kleinsignalverhalten approxmiert man die Gleichung durch eine Taylorreihenentwicklung.
