{{Dieser Artikel|erläutert Halbleiterdioden; zu der Ausführung als Röhre siehe [[Röhrendiode]].}}

Eine '''Diode''' ist ein [[elektrisches Bauelement]], das [[Elektrischer Strom|Strom]] in einer Richtung fast ungehindert passieren lässt und in der anderen Richtung fast [[Isolator|isoliert]]. Daher wird von Durchlassrichtung und Sperrrichtung gesprochen. Bei [[Wechselstrom]] lässt sich aufgrund dieser Eigenschaft mit Dioden eine [[Gleichrichtung]], also eine Umwandlung in [[Gleichstrom]] erreichen.

[[Datei:Diode pinout de.svg|mini|[[Schaltzeichen]] einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Seite bei Beschaltung in Durchlassrichtung.]]

[[Datei:Diode animation.gif|mini|Das bewirkt eine Diode]]

Entdeckt wurde ein derartiges Verhalten 1874 von [[Ferdinand Braun]] an Punktkontakten auf [[Bleisulfid]] ([[Galenit]]), (ähnl. Bild ''Germanium-[[Spitzendiode]]''). Bereits ein Jahr zuvor wurde der [[Edison-Richardson-Effekt]] entdeckt, der in [[Röhrendiode]]n zur Anwendung kam.

Der Begriff Diode wird heute meist nur für [[Halbleiter]]dioden verwendet, die mit einem [[p-n-Übergang]] oder einem gleichrichtenden [[Metall-Halbleiter-Übergang]] ([[Schottky-Kontakt]]) arbeiten. Umgangssprachlich bezieht sich ''Diode'' sogar nur auf Siliziumdioden mit p-n-Übergang, während andere Varianten durch Namenszusätze gekennzeichnet werden (Beispiel: [[Germaniumdiode]], [[Röhrendiode]]).

Noch Mitte des 20. Jahrhunderts sprach man weithin von ''Ventilzellen'' statt Dioden.

Neben dem Effekt der Gleichrichtung zeigt ein Halbleiterübergang weitere nutzbare Eigenschaften, die z. B. in [[Zener-Diode|Zener-]], [[Photodiode|Photo-]], [[Leuchtdiode]]n und [[Halbleiterdetektor]]en für Strahlung ausgenutzt werden.

[[Datei:Diodenalt2.png|mini|(Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen]]

[[Datei:Spitzendiode.jpg|mini|typische Germanium-[[Spitzendiode]] (Chip oben, Baujahr ca. 1965)]]

== Aufbau und Physik einer Halbleiterdiode ==

[[Datei:Schottky Diode Section.JPG|thumb|Halbierte 3 A Schottkydiode (1N5822). Die Anschlussdrähte sind auf den Siliziumkristall gepresst, um gute Wärmeableitung zu ermöglichen]]

Die Grundlage der [[Halbleiter]]-Diode ist entweder ein p-n-dotierter Halbleiterkristall (meist aus [[Silizium]], aber auch Germanium, siehe [[Germaniumdiode]], [[Galliumarsenid]]) oder ein Metall-Halbleiter-Übergang (siehe [[Schottky-Diode]]).

Die Leitfähigkeit eines solchen Übergangs hängt von der Polung der Betriebsspannung an [[Anode]] (p-[[Dotierung|dotiert]]) und [[Kathode]] (n-[[Dotierung|dotiert]]) beziehungsweise von der Stromflussrichtung ab. Der [[p-n-Übergang]] (graue Fläche) ist eine Zone, die frei von beweglichen [[Ladungsträger (Physik)|Ladungsträgern]] ist, da positive Ladungsträger (sog. [[Defektelektron]]en oder ''Löcher'') des p-dotierten Kristalls und negative Ladungsträger (freie Elektronen) des n-dotierten Kristalls auf die jeweils andere Seite des pn-Übergangs diffundiert und dort durch [[Rekombination (Physik)|Rekombination]] verschwunden sind (siehe Artikel [[pn-Übergang]]). Die ursprünglichen Quellen der Ladungsträger, die Dotierungsatome, sind ortsfest und bilden nun als Ionen eine Raumladung, deren elektrostatisches Feld die beiden Ladungssorten voneinander fernhält und so die weitere Rekombination unterbindet. Über die ganze Raumladungszone hinweg entsteht die [[Diffusionsspannung]]. Diese kann durch eine von außen angelegte [[Elektrische Spannung|Spannung]] – je nach Polung – kompensiert werden, dann wird der p-n-Übergang leitfähig, oder verstärkt werden, dann bleibt er gesperrt.<ref>Stefan Goßner: ''Grundlagen der Elektronik'', 8. Auflage, Shaker 2011, ISBN 978-3-8265-8825-9, Kapitel 2: "Der pn-Übergang"</ref>

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Datei:Sperrschicht.png|pn-Übergang

Datei:Pn-Diode-Aufbau.svg|pn-Diode

Datei:Schottky-Diode-Aufbau.svg|Schottky-Diode

</gallery>

Bei der [[Schottky-Diode]] dagegen wird ein Metall-Halbleiter-Kontakt verwendet.

== Mechanisches Ersatzmodell der Diode ==

Die Funktion einer Gleichrichterdiode im Stromkreis kann man sich am einfachsten wie ein [[Rückschlagventil]] im Wasserkreislauf vorstellen: Wenn ein Druck (eine Spannung) auf dieses Ventil (Diode) in Sperrrichtung erfolgt, so wird der Wasser-(Strom-)fluss blockiert. In Durchlassrichtung muss der Druck (die Spannung) groß genug werden, um die Federkraft des Ventils (= Schleusen- oder Schwellenspannung der Diode) überwinden zu können. Dadurch öffnet das Ventil (die Diode) und der Strom kann fließen. Diesem Druck, welcher im mechanischen Modell zum Überwinden der Federkraft notwendig ist, entspricht bei einer Diode die so genannte [[Schwellenspannung]] (<math>U_\text{S}</math>) oder minimale Vorwärtsspannung (engl. {{lang|en|forward voltage drop}}), die in Flussrichtung an der Diode anliegen muss, damit sie in den leitenden Zustand übergeht. Bei gewöhnlichen Siliziumdioden liegt sie <math>U_\text{S}</math> bei ca. 0,7&nbsp;V.

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Datei:Checkvalveclosed.svg|Geschlossenes Kugelrückschlagventil

Datei:Checkvalveopen.svg|Geöffnetes Kugelrückschlagventil

Datei:Funktion des Blitzventils.svg|[[Fahrradventil]]; der Innendruck wirkt als Rückstellkraft

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Das Rückschlagventil verhält sich wiederum analog der ''Shockley-Formel'', die zur Beschreibung der Halbleiterdiode entwickelt wurde (siehe unten bei [[#Ideale Diode / Schockley-Gleichung|Ideale Diode]]), wodurch sich die Formel unter anderem zur näherungsweisen Berechnung von [[Ventil]]en eignet.

== Elektrisches Verhalten ==

Die Analyse elektrischer Schaltungen erfordert eine mathematische Beschreibung der Diode. Hierfür gibt es die grafische [[Strom-Spannungs-Kennlinie]], exakte Gleichungen und vereinfachte Modelle.

=== Formelzeichen ===

Die detaillierte Betrachtung einer Diode erfordert eine Differenzierung der Formelzeichen. Die folgende Tabelle erleichtert hierbei die Übersicht.

{| class="wikitable"

! Zeichen !! Beschreibung

|-

| <math>U_\text{D}</math> || Spannung an der Diode

|-

| <math>U_\text{S}</math> || Schleusenspannung (auch Schwellspannung genannt), Diode leitet in Durchlassrichtung

|-

| <math>U_\text{F}</math> || Flussspannung; Spannung an der Diode in [[Durchlassrichtung]] (engl. {{lang|en|''forward voltage''}});<br />Verwendung teils identisch mit <math>U_\text{S}</math>

|-

| <math>U_\text{R}</math> || [[Sperrspannung]]; Spannung an der Diode in [[Sperrrichtung]] (engl. {{lang|en|''reverse voltage''}})

|-

| <math>U_\text{D,BR}</math> || [[Durchbruchspannung]] (engl. {{lang|en|''breakdown voltage''}})

|-

| <math>I_\text{D}</math> || Strom durch die Diode

|-

| <math>I_\text{S}</math> || [[Sättigungssperrstrom]]

|-

| <math>I_\text{D,D}</math> ; <math>I_\text{F}</math> || [[#Diffusionsstrom|Diffusionsstrom]]; Strom durch die Diode in Durchlassrichtung (engl. {{lang|en|''forward current''}})

|-

| <math>I_\text{D,R}</math> ; <math>I_\text{R}</math> || [[Leckstrom]]; Strom durch die Diode in Sperrrichtung (engl. {{lang|en|''reverse current''}})

|-

| <math>I_\text{S,R}</math> || Leck-Sättigungssperrstrom

|-

| <math>I_\text{D,BR}</math> || [[#Durchbruch|Durchbruchstrom]]; Strom durch die Diode beim (Rückwarts-)Durchbruch (engl. {{lang|en|''breakdown current''}})

|-

| <math>n</math> || Emissionskoeffizient

|-

| <math>U_\text{T}</math> || [[Temperaturspannung]]

|-

| <math>U_\text{G}</math> || [[Bandabstand]]sspannung (engl. {{lang|en|''gap voltage''}})

|-

| <math>R_\text{B}</math> || [[#Bahnwiderstand|Bahnwiderstand]]; ohmscher Widerstand des Halbleitermaterials

|-

| <math>r_\text{D}</math> || [[#Differentieller Widerstand|Differentieller Widerstand]]

|-

| <math>A</math> oder <math>AP</math> || [[Arbeitspunkt]]

|-

| <math>C_\text{D}</math> || [[Diodenkapazität]]

|-

| <math>C_\text{S}</math> || [[#Sperrschichtkapazität|Sperrschichtkapazität]]

|-

| <math>C_\text{D,D}</math> || [[#Diffusionskapazität|Diffusionskapazität]]

|}

Zusätzlich sind die folgenden Naturkonstanten wichtig:

{| class="wikitable"

! Zeichen !! Beschreibung

|-

| <math>k</math> || [[Boltzmannkonstante]]

|-

| <math>q</math> || [[Elementarladung]]

|}

=== Statisches Verhalten ===

Das statische Verhalten beschreibt eine Diode bei Gleichspannung und gilt auch näherungsweise für Wechselspannungen mit niedriger Frequenz, etwa 50&nbsp;Hz Netzspannung, aber je nach Ausführung auch bis in den MHz-Bereich. Durch eine veränderte Spannung bedingte Umverteilungsvorgänge im p-n-Übergang bleiben unberücksichtigt.

==== Kennlinie ====

[[Datei:Kennlinie Diode 1N914.svg|mini|Strom-Spannungs-Kennlinie<br />Hinweis: Die Maßstäbe sowohl für Strom als auch für Spannung unterscheiden sich um Zehnerpotenzen im Durchlass- und im Sperrbereich]]

[[Datei:DiodeGenCharacteristics1.jpg|mini|gemessene Kennlinien verschiedenster Dioden]]

Am anschaulichsten beschreibt die [[Strom-Spannungs-Kennlinie]] das statische Verhalten einer Diode. Die Kennlinie teilt sich dabei in drei Abschnitte: den Durchlassbereich, den Sperrbereich und den Durchbruchbereich.

Wenn man die Kennlinie betrachtet, fließt im Durchlassbereich anfangs trotz anliegender Spannung kein merklicher Strom <math>I_F</math> durch die Diode (bezogen auf in der Technik übliche Ströme). Erst ab einer Spannung von etwa 0,4&nbsp;V beginnt bei Si-Dioden der Strom merklich anzusteigen. Ab etwa 0,6&nbsp;V bis 0,7&nbsp;V nimmt dann der Strom stark zu, und man spricht deswegen von der Schleusenspannung <math>U_S</math>. Bei Schottky- und Germanium-Dioden fließt ein nennenswerter Strom bereits bei etwa 0,2&nbsp;V und die Schleusenspannung liegt bei etwa 0,3&nbsp;V bis 0,4&nbsp;V.

Im Sperrbereich fließt ein sehr geringer Strom, der sogenannte Leckstrom <math>I_R</math>. Dabei weisen Ge- und Schottky-Dioden wesentlich höhere Werte auf als Si-Dioden.

Je nach Dotierung beginnt bei Si-Dioden bei <math>U_D</math> bzw. <math>-U_R</math> ab etwa −50&nbsp;V bis −1000&nbsp;V der Durchbruchbereich und die Diode wird in Sperrrichtung leitend. Dasselbe gilt für eine Schottky-Diode bei etwa −10&nbsp;V bis −200&nbsp;V. Man spricht hierbei von der Durchbruchsspannung <math>U_{BR}</math>, welche mit positivem Vorzeichen angegeben wird. Durch spezielle [[Dotierung]]en erreicht man bei Si-Dioden auch Durchbrüche bis unter −5&nbsp;V, was besonders bei [[Z-Dioden]] angewendet wird.

==== {{Anker|Ideale Diode}}Ideale Diode / Shockley-Gleichung ====

[[Datei:Dioden-Kennlinie 1N4001.svg|mini|hochkant|Kennlinie einer Silizium-Diode ''(gilt für 1N4001 bis 1N4007)'']]

Die [[Shockley-Gleichung]] (benannt nach [[William Bradford Shockley]]) beschreibt die Kennlinie der Diode im Durchlassbereich und ist der Spezialfall einer [[Arrhenius-Gleichung]].

:<math>I_\text{D} = I_\text{S} \,\left(\mathrm e^\frac{U_\text{D}}{n \;U_\text{T}} - 1 \right)</math>

:* [[Sättigungssperrstrom]] (kurz: Sperrstrom) <math>I_\text{S} \approx 10^{-12} \dots 10^{-6}\mathrm A</math>

:* Emissionskoeffizient <math>n \approx 1 \dots 2</math>

:* Temperaturspannung <math>U_\text{T} = \frac{k \cdot T}q \approx {25\;\mathrm{mV}}</math> bei [[Raumtemperatur]]

:* [[absolute Temperatur]] <math>T</math>

:* [[Boltzmannkonstante]] <math>k = {1{,}381} \cdot 10^{-23} \, \mathrm{Ws/K}</math>

:* [[Elementarladung]] <math>q=1{,}602 \cdot 10^{-19} \;\mathrm{As}</math>

Da diese nichtlineare Kennlinie schwer zu handhaben ist, versucht man, sie je nach Anwendung mit verschiedenen Graden der Vereinfachung in Teilbereichen linear darzustellen (siehe weiter [[#Schaltermodell|unten]]).

Bei <math>U_\text{D} >n\cdot</math>120 mV macht man einen relativen [[Messabweichung#Relative Abweichung|Fehler]] von < 1 %, wenn man in der Klammer den zweiten Summanden weglässt. Dann gilt

:<math>I_\text{D}= I_\text{S}\,\exp \frac{U_\text{D}}{n \;U_\text{T}}</math>

Bei genauerer Betrachtung setzt sich der Diodenstrom aus dem ''Diffusionsstrom'' <math>I_\text{D,D}</math> unter Berücksichtigung des ''Hochstromeffekts'', dem ''Leckstrom'' <math>I_\text{D,R}</math> und dem ''Durchbruchsstrom'' <math>I_\text{D,BR}</math> zusammen:

:<math>I_\text{D} =I_\text{D,D} + I_\text{D,R} + I_\text{D,BR}</math>

==== Temperaturabhängigkeit ====

Die Diodenkennlinie variiert mit der Temperatur. In der Shockley-Gleichung sind zwei temperaturabhängige Terme enthalten:

:<math>\begin{align}

U_\text{T}(T) &= \frac{k \cdot T}q = 86{,}17 \;\frac{\mathrm{\mu V}}{\mathrm K} \cdot T\\

&\approx 25{,}8 \;\mathrm{mV} \text{ bei }T = 300 \;\mathrm K\end{align}</math>

:<math>{I_\text{S}(T)} =

{I_\text{S}(T_0)} \cdot

{\exp\left[\left({T \over T_0}-1\right)\cdot{{U_\text{G}(T)}\over{n U_\text{T}(T)}}\right]}

\cdot {\left({T \over T_0}\right)^{\frac xn}

\text{ mit }x \approx 3}</math>

Dabei ist der [[Bandlücke|Bandabstandsspannung]] ({{lang|en|''gap voltage''}}) von [[Silizium]] <math>U_\text{G} = {\frac{1{,}12 \,\mathrm{ eV}}q} = 1{,}12 \,\mathrm V</math>.

Diese Spannung kann in der Praxis tatsächlich für viele Überschlagsrechnungen als Wert der Flussspannung von Siliziumdioden und p-n-Übergängen angesetzt werden. Sie dient (oft temperaturkompensiert) zur Erzeugung von Referenzspannungen.

Zusätzlich muss man auch die Temperaturabhängigkeit der Spannung berücksichtigen:

:<math>\begin{align}

\left.\frac{\part U_\text{D}}{\part T} \right|_{I_\text{D}=\text{const.}}

&=\frac{U_\text{D} - U_\text{G} -3\cdot U_\text{T}}{T}\\

&\approx -1{,}7\,\mathrm{\frac{mV}{K} \text{ bei }T=300\;\mathrm{K} \text{ und }U_\text{D}(300\;\mathrm{K}) = 0{,}7 \, \mathrm{V}}\end{align}</math>

Dieser Wert ist im relevanten Temperaturbereich um 300 K konstant genug, um damit anhand der Flussspannung Temperaturmessungen vornehmen zu können.

==== Diffusionsstrom ====

Der ''[[Diffusionsstrom]]'' tritt im mittleren Durchlassbereich auf, wo er über die anderen Effekte dominiert. Die Formel ergibt sich aus der idealen Diode mit:

:<math>I_\text{D,D} = I_\text{S} \left(\mathrm e^{\frac{U_\text{D}}{n U_\text{T}}}-1 \right)</math>

Bei Schottky-Dioden kann man mit derselben Formel den ''Emissionsstrom'' beschreiben.

==== Hochstromeffekt ====

Der Hochstromeffekt bewirkt eine Zunahme von <math>n</math> im Bereich der mittleren Ströme auf <math>2n</math> bei <math>I_K</math> für <math>I_D</math> gegen unendlich. Hierbei beschreibt der ''Kniestrom'' <math>I_K</math> die Grenze zum ''Hochstrombereich''. Es fließt dadurch weniger Strom, und die Kennlinie besitzt einen flacheren, aber weiterhin exponentiellen Verlauf.

==== Leckstrom (Rekombinationsstrom) ====

{{Lückenhaft|1=Es fehlen kurze Beschreibungen zum Unterschied von Sperrstrom und Rekombinationsstrom und warum die Diodengleichung aus dem Durchlassbereich hier modifiziert werden muss, um die reale Kennlinien zu beschreiben.}}

Beim Anlegen einer Sperrspannung <math>(U_\text{D} < 0)</math> werden die Elektronen und Löcher zu den jeweiligen Kontakten abgeführt, damit vergrößert sich die Raumladungszone und die Diode sollte keinen Strom leiten. In der Praxis misst man aber weiterhin einen geringen Strom, den sogenannten Leckstrom (Sperrstrom). Er resultiert aus der Diffusion von Ladungsträgern durch die Raumladungszone in den entgegengesetzt dotierten Bereich, wo sie dann aufgrund der angelegten Spannung abgeführt werden.

Hierbei liefert die p-Zone Elektronen und die n-Zone Löcher, welche als Minoritätsladungsträger zum Sperrstrom führen.

Für die mathematische Berechnung gilt:

:<math>{I_\text{D,R}}={ I_\text{S,R} \cdot \left(\mathrm e^{ { {U_\text{D}} \over {n_R \cdot U_\text{T}} }}-1 \right) \cdot \left[ {\left( 1-{ {U_\text{D}}\over{U_\text{diff}} } \right) }^2 + 5 \cdot {10^{-3}} \right]^{m_\text{S} \over 2} }</math>

mit

*<math>I_\text{SR}</math> – ''Leck-Sättigungssperrstrom''

*<math>n_\text{R} \ge 2</math> – ''Emissionskoeffizient'' in Sperrrichtung

*<math>U_\text{diff} \approx {{0{,}5 \dots 1} \, \text{V}}</math> – ''Diffusionsspannung''

*<math>m_\text{S} \approx {\frac13 \dots \frac12}</math> – ''Kapazitätskoeffizient''

Der Sperrstrom ist stark spannungs- und temperaturabhängig und hängt von der Herstellungstechnologie sowie Reinheit und Störstellenarmut ab.

==== Durchbruch ====

[[Datei:Kennlinie Z-Diode.svg|mini|Kennlinien verschiedener Z-Dioden]]

Der Sperrstrom einer pn-Diode in Sperrpolung ist im Allgemeinen gering. Vergrößert man jedoch die Spannung in Sperrrichtung <math>U_\mathrm{R} = - U_\mathrm{D}</math> weiter, so steigt der Sperrstrom <math>I_\mathrm{R} = - I_\mathrm{D}</math> ab einer bestimmten Sperrspannung zunächst langsam und dann schlagartig an. Diese Zunahme des Sperrstroms ({{lang|en|reverse current}}) nennt man allgemein „Durchbruch“, und die zugehörige Spannung wird als Durchbruchspannung <math>U_\mathrm{BR} > -U_\mathrm{D}</math> bezeichnet. Die Durchbruchspannung einer Diode hängt allgemein vom Halbleitermaterial und der Dotierung ab und kann für Gleichrichterdioden im Bereich zwischen 50 und 1000&nbsp;V liegen.

:<math>I_\mathrm{D,BR}= {- I_\mathrm{BR}} \cdot\mathrm e^{- {{U_\mathrm{D} + U_\mathrm{BR}}\over{n_\mathrm{BR} \cdot U_\mathrm{T}}}}</math>

mit <math>I_R</math>, dem Durchbruchskniestrom, und <math>n_\mathrm{BR} \approx 1</math>, dem Durchbruch-Emissionskoeffizient.

Für die meisten Halbleiterdioden ist dieser Zustand unerwünscht, da er bei gewöhnlichen Dioden aufgrund der hohen Verlustleistung und des dünnen, eingeschnürten Stromflusskanals das Bauelement zerstört.

Ursache für den Durchbruch sind sehr hohe [[Elektrostatik|elektrische Feldstärken]].

Es lassen sich drei unterschiedliche Mechanismen unterscheiden: der Lawinen-, der Zener- und der thermische Durchbruch.

Der [[Lawinendurchbruch]] (auch Avalanchedurchbruch oder Avalancheeffekt genannt) zeichnet sich durch eine Ladungsträgervervielfachung durch Stoßionisation aus. Er wird beispielsweise bei der [[IMPATT-Diode|IMPATT-]] und [[Suppressordiode]], der [[Avalanche-Photodiode]], sowie bei [[Z-Diode]]n (auch [[Zener-Diode]]n genannt) höherer Spannung genutzt (''siehe auch unter [[Avalanche-Diode]]''). Der Lawinendurchbruch ist auch bei manchen Gleichrichterdioden-Typen (Lawinengleichrichterdiode, Avalanche Type) zulässig und spezifiziert, so dass diese bei einmaligen oder periodischen Überspannungsereignissen bis zu bestimmten Energien nicht zerstört werden.

Beim [[Zener-Effekt|Zener-Durchbruch]] werden hingegen durch eine spezielle Dotierung die Energiebänder stark verschoben. Beim Überschreiten der Durchbruchspannung – in diesem Fall spricht man meist von der Zenerspannung <math>U_\mathrm{Z}</math> – tritt ein [[Tunneleffekt]] auf, der es Valenzbandelektronen ermöglicht, ohne Energieaufnahme vom Valenzband in das Leitungsband zu wechseln. Der Zener-Durchbruch wird bei Z-Dioden bis etwa 5&nbsp;Volt verwendet und dient unter anderem der Bereitstellung von Referenzspannungen.

Der [[Thermischer Durchbruch|thermische Durchbruch]] beschreibt den Zusammenbruch der Sperrspannung aufgrund hoher Temperatur und der damit verbundenen Ladungsträgergeneration. In der Regel führt er zur Zerstörung der Diode durch Diffusionsvorgänge.

==== Differentieller Widerstand ====

Der [[differentieller Widerstand|differentielle Widerstand]] ergibt sich aus der Tangente durch den Arbeitspunkt der Diode. Er wird auch als dynamischer Widerstand bezeichnet. Durch die Verwendung einer Geraden anstatt der tatsächlichen Exponentialfunktion werden die benötigten Rechenschritte wesentlich vereinfacht.

[[Datei:Dioden-Kennlinie 1N4001 differentiell.svg|mini|Vereinfachte Kennlinie (grün)]]

:<math>r_\text{D} = \left.\frac{\mathrm dU_\text{D}}{\mathrm dI_\text{D}}\right|_A = \frac{n \cdot U_\text{T}}{I_\text{D, A} + I_\text{S}} \stackrel{\, I_\text{D,A} \gg I_\text{S} \,}{\approx} \frac{n \cdot U_\text{T}}{I_\text{D, A}}</math>

Arbeitspunkt: ''A''

Bei großen Strömen wird <math>r_\text{D}</math> sehr klein, und der Bahnwiderstand <math>R_\text{B}</math> tritt zunehmend in Erscheinung. Dies ist ein realer Widerstand und rührt wesentlich aus der Leitfähigkeit des Grundmaterials des Diodenchips. Er ist im Ersatzschaltbild mit <math>r_\text{D}</math> [[Serienschaltung|in Serie]].

Die Ersatzschaltung mit <math>r_\text{D}</math> und <math>R_\text{B}</math> eignet sich je nach Diodentyp nur bis zu Frequenzen von 10 bis 100&nbsp;kHz. Bei höheren Frequenzen, wie sie auch beim Ein- und Ausschalten auftreten, muss man zusätzlich die kapazitiven Eigenschaften sowie die [[Sperrerholzeit]] der Diode berücksichtigen.

==== Bahnwiderstand ====

Der ''Bahnwiderstand'' <math>R_B</math> wird durch den elektrischen Widerstand des Halbleitermaterials sowie dem Widerstand des Anschlusses am Halbleiter verursacht. Der Bahnwiderstand wird durch die folgende Formel berücksichtigt:

:<math>U_\text{D} = U'_\text{D} + I_\text{D} \cdot R_\text{B}</math>

==== Statisches Kleinsignalmodell ====

[[Datei:Diode Kleinsignal1.svg|mini|hochkant|Kleinsignalmodell einer Diode]]

Das ''statische Kleinsignalmodell'' wird zur Dimensionierung der Arbeitspunkteinstellung von einfachen Schaltungen herangezogen. Hier entspricht <math>r_\text{D}</math> dem bereits genannten [[Differentieller Widerstand|differentiellen Widerstand]] (s.&nbsp;o.). Hinzu kommt gegebenenfalls noch der Bahnwiderstand.

:<math>r_\text{D} = r_\text{D,D} \approx \frac{n \cdot U_\text{T}}{I_\text{D,A}}</math>

Für den Betrieb um den Rückwärtsdurchbruch, also als Z-Diode, dient der Parameter <math>r_Z</math> zur Modellierung des Verhaltens.

:<math>r_Z = r_\text{D,BR} = {\frac{n_\text{BR} \cdot U_\text{T}}{ \left| I_\text{D,A} \right|}}</math>

=== Dynamisches Kleinsignalmodell ===

Für Wechselstromanwendungen muss man auch die Kapazitäten der Diode berücksichtigen, welche vor allem bei hohen Frequenzen hervortreten. Hierbei unterscheidet man zwischen der Sperrschichtkapazität und der für Schaltanwendungen bedeutenden Diffusionskapazität.

Das ''dynamische Kleinsignalmodell'' berücksichtigt zusätzlich zum statischen Kleinsignalmodell auch die Kapazität der Diode. Damit kann man auch einfache (Niederfrequenz-)Schaltungen mit Kapazitätsdioden dimensionieren.

:<math>r_\text{D} \approx {{n \cdot U_\text{T}} \over {I_\text{D,A}}}</math>

:<math>C_\text{D} \approx {{{{\tau}_\text{T} \cdot I_\text{D,A}} \over {n \cdot U_\text{T}}} + 2 \cdot C_\text{S0}} = {{{\tau}_\text{T} \over r_\text{D}} + 2 \cdot C_\text{S0}}</math>

==== Sperrschichtkapazität ====

:{{Siehe auch|Kapazitätsdiode}}

[[Datei:Process of the barrier capacitance.svg|miniatur|Verlauf der Sperrschichtkapazität]]

Der [[p-n-Übergang]] einer Diode hat eine [[Elektrische Kapazität|Kapazität]], die von der Breite der [[Raumladungszone]] abhängig ist. Mit steigender Sperrspannung vergrößert sich die Breite der ladungsfreien Zone, wodurch die Kapazität abnimmt.

:<math>C_\text{S}(U'_\text{D}) = \frac{C_\text{S0}}{ {\left( 1- \frac{U'_\text{D}}{U_\text{diff}} \right)}^{m_\text{S}}} \, \quad \text{wenn} \quad {U'_\text{D}} < {U_\text{diff}}</math>

Die ''Null-Kapazität'' <math>C_\text{S0} = C_\text{S}(0\,\mathrm{V})</math> ist direkt proportional zur Fläche des pn-Überganges. Die ''Diffusionsspannung'' <math>U_\text{diff}</math> ist ebenfalls von der Dotierung abhängig. Mit steigender Dotierung nehmen <math>C_\text{S0}</math> und <math>U_\text{diff}</math> zu. Die Diffusionsspannung <math>U_\text{diff}</math> liegt üblicherweise im Bereich zwischen 0,5 und 1 Volt.

Der ''Kapazitätskoeffizient'' <math>m_\text{S}</math> stellt das Dotierungsprofil des pn-Überganges dar. Direkte Übergänge von der p- in die n-Schichten führen zu einem Wert von <math>m_\text{S} \approx 0{,}5</math>, während Übergänge mit linearem Verlauf von der p- in die n-Schichten zu einem Wert von <math>m_\text{S} \approx 0{,}3</math> führen.

Die obenstehende Formel für <math>C_\text{S}</math> ist nur bis zu einem Wert von etwa <math>U'_\text{D} = 0{,}5 \, U_\text{diff}</math> gültig. Die Formel kann also – wie in der Grafik punktiert dargestellt – den tatsächlichen Verlauf von <math>C_\text{S}</math> in diesem Bereich nicht wiedergeben. Über diesem Wert nimmt <math>C_\text{S}</math> nur noch schwach zu. Für einen Wert von <math>U'_\text{D} > f_\text{S} \, U_\text{diff}</math> wird der weitere Verlauf von <math>C_\text{S}</math> durch die Tangente im Punkt <math>U'_\text{D} = f_\text{S} \, U_\text{diff}</math> ersetzt, welches dem tatsächlichen Verlauf sehr nahe kommt:

:<math>C_\text{S} \left( U'_\text{D} > f_\text{S} \, U_\text{diff} \right) = C_\text{S} \left( f_\text{S} \, U_\text{diff} \right) + \frac{\mathrm{d} C_\text{S}}{\mathrm{d} f_\text{S}\, U_\text{diff}} \left( U'_\text{S} - f_\text{S} \, U_\text{diff} \right)</math>

Durch Einsetzen erhält man die Gleichung

:<math>C_\text{S}(U'_\text{D}) = C_\text{S0} \cdot \begin{cases} { \frac 1 {{\left( 1 - \frac{U'_\text{D}}{U_\text{diff}} \right) }^{m_\text{S}}} } & \text{wenn} \quad {{U'_\text{D}} \le {f_\text{S} \cdot U_\text{diff}}} \\ {\frac {1 - f_\text{S} \cdot { \left( 1 + m_\text{S} \right) } + \frac{ m_\text{S} \cdot U'_\text{D} }{U_\text{diff}}}{ { \left( 1 - f_\text{S} \right) }^{ \left( 1 + m_\text{S} \right) }}} & \text{wenn} \quad {U'_\text{D} > f_\text{S} \cdot U_\text{diff}} \end{cases}</math>

Hierbei ist <math>f_\text{S} \approx 0{,}4 \ldots 0{,}7</math>.

==== Diffusionskapazität ====

Bei Anlegen einer Durchlassspannung kommt es in den Bahngebieten (also außerhalb der Raumladungszone) zu [[Minoritätsträger]]überschüssen, die die so genannten ''Diffusionsladungen'' bilden. Diese räumlich getrennten Ladungen müssen bei Änderungen der Durchlassspannung auf- bzw. abgebaut werden und beeinflussen somit das dynamische Verhalten der Diode.

''I''_DD wird als Diffusionsstrom bezeichnet, und <math>{\tau}_\text{T}</math> ist die so genannte ''[[Transit (Ladungsträger)|Transitzeit]]'':

:<math>C_\text{D,D}{ \left( U'_\text{D} \right) }= \frac{\part Q_\text{D}}{\part U'_\text{D}} = \frac{{\tau}_\text{T} \cdot I_\text{DD}}{n U_\text{T}} \cdot \frac{1+ \frac{I_\text{S}}{2 \cdot I_\text{K}} \cdot e^{ \frac{U'_\text{D}}{n \cdot U_\text{T}}}}{1+ \frac{I_\text{S}}{I_\text{K}} \cdot e^{ \frac{U'_\text{D}}{n \cdot U_\text{T}}}}</math>

Näherungsweise kann man auch annehmen, dass für den Diffusionsbereich <math>I_\text{DD} \gg I_\text{DR}</math> und damit auch <math>I_\text{D} \approx I_\text{DD}</math> gilt. Daraus ergibt sich die Näherungsgleichung:

:<math>C_\text{D,D} \approx {\frac{{\tau}_\text{T} \cdot I_\text{D}}{n \cdot U_\text{T}} \cdot \frac{1 + \frac{I_\text{D}}{2 \cdot I_\text{K}}}{1 + \frac{I_\text{D}}{I_\text{K}}} { \begin{matrix} { I_\text{D} \ll I_\text{K} } \\ {\approx} \\ {} \end{matrix} } \frac{{\tau}_\text{T} \cdot I_\text{D}}{n \cdot U_\text{T}}}</math>

* Bei [[Silizium|Si]]-Dioden ist <math>{\tau}_\text{T} \approx 1 \dots 100 \, \mathrm{ns}</math>.

* Bei [[Schottky-Diode]]n ist <math>{\tau}_\text{T} \approx 1 \dots 100 \, \mathrm{ps}</math>, deshalb kann bei Schottky-Dioden die Diffusionskapazität meist vernachlässigt werden.

Die Diffusionskapazität bzw. die Sperrerholzeit verursacht Verluste bei schnellen Schaltanwendungen ([[Schaltnetzteil]]e), daher verwendet man hier – falls Schottkydioden aufgrund ihrer begrenzten Sperrspannung nicht angewendet werden können – besonders schnelle Siliziumdioden. Für Schalterdioden ist dagegen eine große Diffusionskapazität gewünscht, um eine niedrige Impedanz bei hohen Frequenzen zu erreichen.

=== Schaltverhalten ===

Das Schaltverhalten kann nur sehr eingeschränkt mit dem Kleinsignalmodell beschrieben werden, denn hier ist das nichtlineare Verhalten der Diode wichtig. Die Beschreibung durch die Diffusionskapazität gibt für das „Ausschalten“ zwar ein qualitativ passendes Bild, liegt aber wegen der Nichtlinearität quantitativ daneben.

Der Wechsel von der Stromleitung in Durchlassrichtung zum Sperrverhalten geht bei einer PN-Diode nicht sofort. Zuerst müssen die zusätzlichen Minoritätsladungsträger entfernt werden. Wenn nicht auf die Rekombination gewartet wird, fließen die Minoritätsladungsträger als ''Reverse-Recovery-Ladung'' (<math>Q_r</math>) als kurzer Strompuls in Sperrrichtung ab. Erst danach wird die Spannung negativ und die Diode geht mehr oder weniger abrupt in den sperrenden Zustand über. Die Zeit, bis die Diode sperren kann, wird Sperrerholzeit (<math>t_{rr}</math>) genannt und ist von der Größenordnung der Transitzeit.

Diese Verzögerungszeit erlaubt bei ausreichend hoher Frequenz die Konstruktion von sehr schnellen Schaltern und regelbaren Dämpfungsgliedern, die [[pin-Diode]]n als ''gleichstromgesteuerte Wechselspannungswiderstände'' mit kurzer Reaktionszeit verwenden. Sehr schnelle umschaltbare Phasenschieber mit pin-Dioden werden auch in [[Phased-Array-Antenne]]n benötigt.

Oft ist ein schneller Übergang in den sperrenden Zustand gefragt und es werden entsprechend schnelle Dioden mit kurzer Transitzeit (Größenordnung 5-200&nbsp;ns für Silizium-PN-Dioden) angeboten. Bei Schottkydioden spielen die Minoritätsladungsträger keine wesentliche Rolle und entsprechend gibt es einen sehr schnellen Übergang in den sperrenden Zustand.

Auch der Übergang vom sperrenden Zustand in den leitenden Zustand geschieht nicht sofort, wenn auch recht schnell. Besonders bei PIN-Dioden für hohe Sperrspannungen braucht es eine gewisse Zeit, bis die Minoritätsladungsträger die Sperrschicht bzw. den intrinsischen Bereich geflutet haben. Bei einem sehr schnellen Anstieg des Stromes kann die Spannung in Flussrichtung anfangs deutlich höher werden als im stationären Fall. Bei „normalen“ Dioden (keine PIN) ist die Verzögerung recht kurz, bzw. das Überschwingen der Spannung gering und eher selten relevant.

=== Schaltermodell ===

[[Datei:Ersatzschaltung-für-Gleichrichterdiode-v1.svg|miniatur|Schaltermodell als Ersatzschaltung für Gleichrichterdioden]]

[[Datei:Kennlinie Diode linearisiert.svg|miniatur|Verschiedene stückweise linearisierte Kennlinien zum Schaltermodell]]

Die in den Vorangegangenen Abschnitten gezeigten Zusammenhänge greifen auf nicht-lineare Gleichungen zurück. Damit erschwert sich die Schaltungsanalyse erheblich. Jedoch sind derart exakte Modelle häufig nicht erforderlich und mit dem Rückgriff auf das Schaltermodell vereinfacht sich die Berechnung. Die Variante b) geht in den leitenden Zustand über, sobald an der Diode positive Spannungswerte anliegen und bei Variante c) schließt der spannungsabhängige Schalter sobald die Spannung die Flussspannung ''U''_F überschritten wird. Die eingezeichnete Spannungsquelle gibt aufgrund der Stromrichtung (''P'' = ''U'' · ''I'') keine Leistung an die Schaltung ab, sondern nimmt ausschließlich Leistung auf.

== Kennzeichnung und Beschriftung ==

[[Datei:Dioden2.jpg|miniatur|Halbleiterdioden, unten ein [[Brückengleichrichter]]]]

[[Datei:Lasergrav.jpg|miniatur|hochkant|[[Oberflächenmontage|SMD]]-Halbleiterdiode]]

:{{Siehe auch|Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen}}

Die Kathode unipolarer Dioden ist meist mit einem Ring oder Farbpunkt gekennzeichnet. Der Kathodenanschluss von [[Leuchtdiode]]n ist durch einen Farbpunkt, ein kürzeres Anschlussbein und/oder eine Gehäuseabflachung gekennzeichnet. Bei [[Laserdiode]]n ist die Anode meist mit dem Gehäuse verbunden.

Der Diodentyp kann nach zwei Standards gekennzeichnet sein. Gemäß [[JEDEC]]-Norm oder gemäß [[Pro-Electron]], jeweils mit einem Farbcode oder einer Beschriftung. Bei der Bezeichnung mit Farbcode ist der erste Ring breiter aufgedruckt und bezeichnet gleichzeitig den Anschluss der Kathode. Bei der Beschriftung wird die Kathode mit einem Ring gekennzeichnet. Einige Hersteller führen eigene Benennungsschemen.

Auch erwähnenswert ist die Kennzeichnung auf [[Brückengleichrichter]]n mit je zwei Anschlüssen für die anzulegende [[Wechselspannung]] „AC“ und die entnehmbare [[Gleichspannung]] „+“ und „−“. In der Typenbezeichnung sind oft die maximal zulässige Sperrspannung und Nennstrom enthalten, wobei etwa „E40&nbsp;C30“ für 40&nbsp;V Spannung (E) und 30&nbsp;mA Strom (C) steht.

=== JEDEC ===

Die Beschriftung für Dioden gemäß JEDEC setzt sich aus einer Zahl und einem Buchstaben sowie einer weiteren vierstelligen Zahl zusammen (z.&nbsp;B. „1N4148“). Die vierstellige Zahl kann hierbei in der folgenden Farbcodierung angegeben sein:

{| class="wikitable" style="text-align:center"

|-class="hintergrundfarbe5"

! Farbe

! schwarz !! braun !! rot !! orange !! gelb

! grün !! blau !! violett !! grau !! weiß

|-

! Wert

| 0 || 1 || 2 || 3 || 4 || 5 || 6 || 7 || 8 || 9

|}

=== Pro Electron ===

Die Beschriftung der Dioden nach Pro-Electron setzt sich aus zwei bis drei Buchstaben und einer zwei- bis dreistelligen Zahl zusammen.

Beispiele: ''B A 159'', ''B A T 20''

# Kennbuchstabe = Ausgangsmaterial

# Kennbuchstabe = Hauptfunktion

# Kennbuchstabe = Hinweis auf kommerziellen Einsatz (als dritter Buchstabe wird bei kommerziellen Bauelementen X, Y oder Z benutzt)

# Ziffern = Registernummer (2 oder 3 Ziffern)

Die Buchstaben-Ziffernfolge kann alternativ als Farbcode angegeben werden:

{| class="wikitable" style="text-align:center"

|-class="hintergrundfarbe5"

! Farbe !! 1. Ring !! 2. Ring !! 3. Ring !! 4. Ring

|-

| schwarz

| &nbsp; || X || 0 || 0

|-

| braun

| AA || &nbsp; || 1 || 1

|-

| rot

| BA || &nbsp; || 2 || 2

|-

| orange

| &nbsp; || S || 3 || 3

|-

| gelb

| &nbsp; || T || 4 || 4

|-

| grün

| &nbsp; || V || 5 || 5

|-

| blau

| &nbsp; || W || 6 || 6

|-

| violett

| &nbsp; || &nbsp; || 7 || 7

|-

| grau

| &nbsp; || Y || 8 || 8

|-

| weiß

| &nbsp; || Z || 9 || 9

|}

== Kenngrößen ==

Halbleiterdioden (Signaldioden, Gleichrichterdioden, aber auch Laser-, Schutz- und Leuchtdioden) haben bestimmte Kenngrößen zur Spezifikation. Sie sind in den [[Datenblatt|Datenblättern]] genannt und sind wichtig für die Anwendung und die Bemessung deren Beschaltung mit anderen Bauteilen.

Die wichtigsten Kenngrößen und Grenzwerte von Dioden sind:

* maximal zulässige Sperrspannung ([[Gleichrichter]]- und Signaldioden, [[Leuchtdiode|Leucht]]- und [[Laserdiode]]n)

* maximaler Dauer- und Spitzenstrom in Durchlassrichtung (Gleichrichter- und Signaldioden, Leucht- und Laserdioden)

* die ''Flussspannung'' oder auch Schleusenspannung <math>U_\text{F}</math> bei einem bestimmten Strom (⅟₁₀ Nennstrom für Gleichrichterdioden)

* bei [[Zenerdiode]]n die maximale Dauer-Verlustleistung und die Zenerspannung

* bei Gleichrichter- und Signaldioden die Schaltzeit (auch Sperrverzögerungszeit oder Sperr-Erholzeit, engl. ''reverse recovery time'', kurz t_rr genannt)

* bei [[Suppressordiode]]n (TVS) die Ansprechzeit, die Energie und die Spitzenleistung, die beim [[Avalancheeffekt|Avalanche-Durchbruch]] in Sperrrichtung absorbiert werden kann, die Durchbruchspannung sowie die maximal ''ohne'' Durchbruch garantierte Spannung in Sperrrichtung

* insbesondere bei [[Schottkydiode]]n der stark temperaturabhängige Leckstrom (Sperrstrom)

== Diodentypen ==

[[Datei:IR led.jpg|miniatur|hochkant|rechts|[[Infrarot-LED|Infrarot-Leuchtdiode]]]]

Es gibt eine Reihe von Dioden für unterschiedliche Einsatzzwecke:

;[[Gleichrichter|Gleichrichtung]]: Die Umwandlung von Wechselspannung in Gleichspannung erfolgt durch Silizium-PN-Dioden. Bei sehr großen Leistungen ([[Leistungsgleichrichter]]) verwendet man p⁺sn⁺-Dioden. Veraltete Typen sind die [[Germaniumdiode]], der [[Kupferoxydul-Gleichrichter]], der [[Selen-Gleichrichter]] („Trockengleichrichter“) und die [[Röhrendiode]]. [[Verpolungsschutz]]-Dioden und [[Freilaufdiode]]n sind ebenfalls Gleichrichterdioden. Hochspannungsdioden bestehen aus mehreren in einem Gehäuse in Reihe geschalteten Diodenchips. Bei besonders hohen Frequenzen werden [[Schottky-Diode]]n eingesetzt.

;Kleinsignaldioden: [[Kleinsignal]]-Dioden dienen der Gleichrichtung von Signalen ([[Demodulator]], siehe auch [[Spitzendiode]], hierfür wurden aber auch Röhrendioden verwendet), als [[Mischer (Elektronik)|Mischer]], als Spannungsreferenz und zur Temperaturmessung bzw. -kompensation (Flussspannung ([[#Kenngrößen und Formeln|s.&nbsp;o.]]) bei Siliziumdioden ca. 0,7&nbsp;V, temperaturabhängig)

;Spannungsstabilisierung: Für die Spannungsstabilisierung und zur Überspannungsbegrenzung kommen [[Zener-Diode]]n (auch ''Z-Diode'' genannt) und die ähnlich aufgebauten [[Suppressordiode]]n zum Einsatz. Hier wird der in Sperrrichtung auftretende [[Zenereffekt]] und der [[Avalancheeffekt]] genutzt. Bipolare Suppressordioden für den Einsatz an Wechselspannung bestehen aus zwei gegeneinander in Serie geschalteten unipolaren Dioden.

;Stromstabilisierung: Die [[Stromregeldiode]] ist eigentlich eine [[integrierte Schaltung]] aus einem Widerstand und einem [[JFET]]. Sie dient als [[Konstantstromquelle]].

;Optik: Für optische Zwecke dienen die [[Laserdiode]], die [[Photodiode]], die [[Avalanche-Photodiode]] und die [[Leuchtdiode]] (kurz ''LED'').

;Kapazitive Dioden: [[Kapazitätsdiode]]n (auch ''Varaktor'' oder ''Varaktordiode'' genannt) sind Dioden, deren von der Sperrspannung abhängige Sperrschichtkapazität als steuerbarer [[Kondensator (Elektrotechnik)|Kondensator]] genutzt wird.

;Gesteuerte Gleichrichter und verwandte Bauelemente: Zur Gruppe der gesteuerten Gleichrichter gehören die [[Vierschichtdiode]] und der [[Thyristor]]. Des Weiteren werden die [[Diac|Diac (Zweirichtungsdiode)]] sowie der [[Unijunction-Transistor]] hinzugerechnet.

;Gleichstromgesteuerte Widerstände: [[Pin-Diode]]n werden in der Hochfrequenztechnik als steuerbare Dämpfungsglieder oder HF-Schalter eingesetzt.<ref name="Stiny">{{Literatur|Autor=L. Stiny|Titel=Handbuch aktiver elektronischer Bauelemente|Verlag=Franzis' Verlag GmbH |ISBN=9783772351167|Jahr=2009|Monat=|Tag=|Seiten=186f}}</ref>

Neben den oben genannten Diodentypen gibt es noch eine ganze Reihe von weiteren Typen, die sich keiner bestimmten Kategorie zuordnen lassen oder seltener eingesetzt werden.

Der [[Avalancheeffekt]] wird in [[Avalanchediode]]n ausgenutzt. Weitere Dioden sind die [[Feldeffektdiode]] ([[Curristor]]), die [[Gunndiode]], die [[Tunneldiode]], der [[Sirutor]], die [[IMPATT-Diode]] oder Lawinenlaufzeitdiode (kurz ''LLD'') und die [[Speicherschaltdiode]] (engl. {{lang|en|''Step-Recovery-Diode''}}), eine Sonderform der [[Ladungsspeicherdiode]].

Die [[Schaltdiode]] ist eine Kleinsignal-Diode mit besonders schnellem Schaltverhalten.

Die [[Schalterdiode]] ist dagegen eine besonders langsame Diode mit, geringer Sperrschichtkapazität und dient zum Schalten von Hochfrequenz, indem sie entweder mit einer Sperr-Gleichspannung oder mit einem Gleichstrom in Durchflussrichtung beaufschlagt wird.

== Wortherkunft ==

Das Wort ''Diode'' stammt von [[Altgriechische Sprache|altgriechisch]] {{lang|grc|δίοδος}} ''díodos'' „Durchgang“, „Pass“, „Weg“; das weibliche [[Substantiv]] setzt sich zusammen aus der [[Präposition]] {{lang|grc|διά}} ''diá'' „durch“, „hindurch“ sowie dem Wort {{lang|grc|ὁδός}} ''hodós'' „Weg“.<ref>Wilhelm Gemoll: ''Griechisch-Deutsches Schul- und Handwörterbuch'', München/ Wien 1965</ref>

== Literatur ==

* Ulrich Tietze, Christoph Schenk, Eberhard Gamm: ''Halbleiter-Schaltungstechnik.'' 12. Auflage. Springer, Berlin 2002, ISBN 3-540-42849-6.

* Marius Grundmann: ''The Physics of Semiconductors. An Introduction Including Device and Nanophysics.'' Springer, Berlin 2006, ISBN 3-540-25370-X (eng.).

* Holger Göbel: ''Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik.'' 2. Auflage. Springer, Berlin 2006, ISBN 3-540-34029-7.

== Weblinks ==

{{Commonscat|Diodes|Dioden}}

* [http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/diodsw.htm Vom Dioden-Schalter zum elektronischen UKW-Antennenumschalter]

* [http://smile.unibw-hamburg.de/smile/toc.htm interaktives Lernprogramm]

* [http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201113.htm Halbleiterdioden]

* [http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/mw2_ge/kap_6/backbone/r6_2_3.html Die Kennlinie des pn-Übergangs]

* [http://www.sps-lehrgang.de/pn-uebergang-bei-halbleiterdioden/ pn-Übergang in Bildergalerien]

== Einzelnachweise ==

<references />

{{Normdaten|TYP=s|GND=4131470-0}}

[[Kategorie:Leistungselektronik]]

[[Kategorie:Diode| ]]

{{Link FA|eo}}

{{Link FA|tt}}