„Tantal(V)-oxid“ – Versionsunterschied

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Der [[Brechungsindex]] von Tantal(V)-oxid beträgt als optische Dünnschicht bei 500 nm [[Wellenlänge]] je nach verwendetem Beschichtungsverfahren zwischen 2,1 bis 2,15 ([[Elektronenstrahlverdampfer|Elektronenstrahlverdampfen]]) und etwa 2,2 (Ionenstrahl[[sputtern]]). Das Material ist von etwa 350 nm bis ungefähr 8 µm Wellenlänge transparent.
Der [[Brechungsindex]] von Tantal(V)-oxid beträgt als optische Dünnschicht bei 500 nm [[Wellenlänge]] je nach verwendetem Beschichtungsverfahren zwischen 2,1 bis 2,15 ([[Elektronenstrahlverdampfer|Elektronenstrahlverdampfen]]) und etwa 2,2 (Ionenstrahl[[sputtern]]). Das Material ist von etwa 350 nm bis ungefähr 8 µm Wellenlänge transparent.


Tantal(V)-oxid ist ein farbloser Feststoff der in zwei Modifikationen auftritt, wobei die Tieftemperaturform T-Form bei 1360 °C reversibel in die oberhalb dieser Temperatur stabile H-Modifikation übergeht. Die T-Modifikation besitzt eine mit T-[[Niob(V)-oxid]] verwandte Kristallstruktur mit der orthorhombischen Subzelle, die durch seine chemische (Verunreinigungen mit Oxiden anderer Metalle) und strukturelle Variabilität aber sehr kompliziert ist. Er ist unlöslich in Säuren außer in [[Flusssäure]].<ref name="brauer"/>
Tantal(V)-oxid ist ein farbloser Feststoff der in zwei Modifikationen auftritt, wobei die Tieftemperaturform T-Form bei 1360 °C reversibel in die oberhalb dieser Temperatur stabile H-Modifikation übergeht. Die T-Modifikation besitzt eine mit T-[[Niob(V)-oxid]] verwandte [[Kristallstruktur]] mit der [[Orthorhombisches Kristallsystem|orthorhombischen]] Subzelle, die durch seine chemische (Verunreinigungen mit Oxiden anderer Metalle) und strukturelle Variabilität aber sehr kompliziert ist. Er ist unlöslich in Säuren außer in [[Flusssäure]].<ref name="brauer"/>


== Verwendung ==
== Verwendung ==

Version vom 4. September 2021, 17:45 Uhr

Kristallstruktur
Kristallstruktur von Tantal(V)-oxid
__ Ta5+      __ O2−
Allgemeines
NameTantal(V)-oxid
Andere Namen
  • Tantalpentoxid
  • Ditantalpentaoxid
VerhältnisformelTa2O5
Kurzbeschreibung

weißer geruchloser Feststoff[1]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer1314-61-0
EG-Nummer215-238-2
ECHA-InfoCard100.013.854
PubChem62157
ChemSpider55987
WikidataQ425103
Eigenschaften
Molare Masse441,89 g·mol−1
Aggregatzustand

fest

Dichte

8,2 g·cm−3[2]

Schmelzpunkt

1872 °C[3]

Löslichkeit

praktisch unlöslich in Wasser (<0,005 mg l−1)[3]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung[3]
keine GHS-Piktogramme

H- und P-SätzeH: keine H-Sätze
P: keine P-Sätze
Toxikologische Daten

8000 mg·kg−1 (LD50Ratteoral)[3]

Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet.
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Tantal(V)-oxid, Ta2O5, ist eine chemische Verbindung von Tantal und Sauerstoff und neben Tantal(II)-oxid und Tantal(IV)-oxid eines der bekannten Oxide des Tantals. Es ist optisch transparent.

Vorkommen

Tantal(V)-oxid kommt in dem Mineral Columbit vor.

Gewinnung und Darstellung

Tantal(V)-oxid kann durch chemische Transportreaktionen mit Tantal(V)-chlorid, Chlor, Chlorwasserstoff oder Schwefel gewonnen werden.[4]

Eigenschaften

Der Brechungsindex von Tantal(V)-oxid beträgt als optische Dünnschicht bei 500 nm Wellenlänge je nach verwendetem Beschichtungsverfahren zwischen 2,1 bis 2,15 (Elektronenstrahlverdampfen) und etwa 2,2 (Ionenstrahlsputtern). Das Material ist von etwa 350 nm bis ungefähr 8 µm Wellenlänge transparent.

Tantal(V)-oxid ist ein farbloser Feststoff der in zwei Modifikationen auftritt, wobei die Tieftemperaturform T-Form bei 1360 °C reversibel in die oberhalb dieser Temperatur stabile H-Modifikation übergeht. Die T-Modifikation besitzt eine mit T-Niob(V)-oxid verwandte Kristallstruktur mit der orthorhombischen Subzelle, die durch seine chemische (Verunreinigungen mit Oxiden anderer Metalle) und strukturelle Variabilität aber sehr kompliziert ist. Er ist unlöslich in Säuren außer in Flusssäure.[4]

Verwendung

Eine wichtige Anwendung ist in der optischen Beschichtungstechnologie (PVD-Verfahren), wo es als hochbrechendes Material eingesetzt wird.

In der Halbleitertechnologie wird Tantal(V)-oxid als sogenanntes High-k-Dielektrikum für On-Chip-Kondensatoren eingesetzt. Im Unterschied zum gewöhnlich verwendeten Siliciumdioxid (SiO2), das eine relative Permittivität von 3,9 besitzt, beträgt die relative Permittivität von Tantalpentoxid je nach Herstellungsverfahren zwischen 24 und 28.[5] Die Oxidabscheidung erfolgt mittels Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) oder Chemische Gasphasenabscheidung (Chemical Vapour Deposition, CVD). Bevorzugtes Basismaterial des Prozesses ist der flüchtige Tantalkomplex Pentakis(dimethylamino)tantal (Ta[HN(CH3)2]5), der über Tantalpentachlorid (TaCl5), einem wichtigen Zwischenprodukt in der Tantalherstellung, zugängig ist.

Siehe auch

Einzelnachweise

  1. Eintrag zu Tantal-Verbindungen. In: Römpp Online. Georg Thieme Verlag, abgerufen am 14. Juli 2014.
  2. Tantal(V)-oxid bei webelements.com
  3. a b c d Eintrag zu Tantal(V)-oxid in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 19. Dezember 2019. (JavaScript erforderlich)
  4. a b Georg Brauer (Hrsg.) u. a.: Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. 3., umgearbeitete Auflage. Band III, Ferdinand Enke, Stuttgart 1981, ISBN 3-432-87823-0, S. 1466.
  5. S. P. Murarka, Moshe Eizenberg, A. K. Sinha: Interlayer dielectrics for semiconductor technologies. Academic Press, 2003, ISBN 0-12-511221-1, S. 339.