Deutsch: Querschnitt (Schema) einer DRAM-Zelle in 3D-Stack-Technologie. Bei dem Kondensator handelt es um einen sehr einfachen Stapelkondensator (engl. stacked capacitor).
English: Cross-section of a DRAM cell in 3D stack technology. The capacitor here is a very simple stacked capacitor
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2008-02-23 15:45 Cepheiden 301×213× (11581 bytes) {{Information |Beschreibung = Querschnitt (Schema) einer DRAM-Zelle in Planar-Technologie. Der Kondensator ist als "Grabenkondensator mit Poly-Si-Platte" (engl. ''poly plate trench capacitor''). Eine andere Variante wäre der "Grabenkondensator mit vergra
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{{Information |Description={{de|Querschnitt (Schema) einer DRAM-Zelle in 3D-Stack-Technologie. Bei dem Kondensator handelt es um einen ''sehr einfachen'' Stapelkondensator (engl. ''stacked capacitor'').}} |Source=Transferred from [http://de.wikipedia.org